工作于强耦合区域的子带间电致发光器件
介观与纳米尺度物理
2012-12-27 v1
摘要
我们对工作于光-物质强耦合区域的子带间器件的电致发光进行了详细研究。通过执行角分辨光谱学对器件进行了表征，在动量-能量相图中显示出两个不同的光强光斑。电致发光光谱的这两个特征与从下极化激元分支发出的光子以及子带间跃迁与激发腔模的弱耦合相关。相同的电致发光有源区被加工成带有和不带有光学微腔的器件，以说明工作于强耦合和弱耦合区域的器件之间的差异。光谱被极好地模拟为极化激元光学态密度与描述极化激元态被填充能量窗口的函数的乘积。光谱随电压的演化表明，强耦合区域允许在原本无法达到的能量处观察到电致发光。
引用
@article{arxiv.1212.6159,
title = {Intersubband electroluminescent devices operating in the strong coupling regime},
author = {Pierre Jouy and Angela Vasanelli and Yanko Todorov and Luca Sapienza and Raffaele Colombelli and Ulf Gennser and Carlo Sirtori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.6159},
year = {2012}
}