半导体量子点中中性与带电捐献态的浅深跃迁
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
我们对类氢型捐献剂在球形半导体量子点中的中性 () 与带电 () 杂质态进行了深入研究。该研究基于有效质量理论 (EMT)。我们采用局域密度近似 (LDA) 和 Harbola-Sahni (HS) 方法处理多体效应。我们实验了 various 约束势型：方形、谐和三角形。我们观察到，当量子点半径 () 减小时，捐献能级发生浅到深跃迁；进一步减小半径后，能级又变为浅的。我们称这种非单调行为为 SHADES。这表明 和 都可能发生载流子 "冻结脱离"。此外，我们的研究也揭示了光学带隙存在 SHADES 跃迁。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308029,
title = {Shallow Deep Transitions of Neutral and Charged Donor States in Semiconductor Quantum Dots},
author = {R. K. Pandey and Manoj K. Harbola and Vijay A. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308029},
year = {2009}
}
备注
19 pages, 8 figures, Revised Version