调制掺杂 Si/SiGe异质结构中的掺杂子能态

我们提出了一种统一方法，用于计算掺杂浅层掺杂子在内部或外部异质结构量阱中的性质。该方法不仅可计算任意对称性的局域态束缚能，还可计算当局域态与连续量阱亚能级退核时出现的能宽。该方法为非变分法，因此还能评估波函数。利用其计算光学吸收光谱，其强烈的各向异性源于选择规则。针对Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$量阱的计算结果，使我们能够表述掺杂子能态的总体行为，随着掺杂子位置从量阱中心移动到垫层深处。严格考虑了中心细胞效应和由晶格不匹配引起的应变对掺杂子基态的影响。