Si 掺杂 InAs/GaSb 量子阱中的局域态与量子自旋霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2014-05-13 v2
摘要
我们研究了 Si 掺杂 InAs/GaSb 量子阱中的带隙内局域态和量子自旋霍尔效应。我们提出了一个描述施主和/或受主杂质的模型来描述 Si 掺杂剂。该模型显示，在轻掺杂浓度下存在带隙内束缚态和具有量化值 的宽电导平台，这与 Du 等人最近的实验一致。我们预测，在局域长度 与样品宽度 相当但远小于样品长度 的区域中，由于背散射会出现电导凹陷结构。
引用
@article{arxiv.1310.4051,
title = {Localized States and Quantum Spin Hall Effect in Si-Doped InAs/GaSb Quantum Wells},
author = {Dong-Hui Xu and Jin-Hua Gao and Chao-Xing Liu and Jin-Hua Sun and Fu-Chun Zhang and Yi Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.4051},
year = {2014}
}
备注
4+pages main text including 4 figures, supplementary materials with 3 figures are included