InAs/GaSb 拓扑绝缘体候选材料中的无序效应
介观与纳米尺度物理
2019-07-31 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们报道了关于无序对反型 InAs/GaSb 量子阱体态影响的理论研究。作为无序源，我们考虑了界面粗糙度和由有意掺杂提供的施主/受主。我们使用 方法结合无序哈密顿量的数值对角化，以充分了解该电子系统的无序本征能量和本征函数。虽然界面粗糙度轻微扰动载流子运动，但我们表明掺杂剂强烈束缚并局域化该结构的体态。此外，两类散射体均增强了该结构中空穴与电子之间的本征杂化。
引用
@article{arxiv.1907.09283,
title = {Disorder effects in InAs/GaSb topological insulator candidates},
author = {C. Ndebeka-Bandou and J. Faist},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.09283},
year = {2019}
}