多层拓扑绝缘体中无序诱导的拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2024-04-25 v2 强关联电子
摘要
我们研究了非磁性无序对包含拓扑绝缘体和常规能带绝缘体层的多层结构电子态的影响。采用带有重整化隧穿参数的 Burkov-Balents 模型，我们生成了与无序相关的相图，表明非磁性无序可以诱导不同拓扑相之间的相变。我们研究的后续部分聚焦于无序在各层间不均匀分布的场景，这导致了层间隧穿参数的涨落——称为非对角无序。此外，我们采用自洽单点图解技术，将格林函数按层间隧穿参数展开（定位子法），确定了态密度。我们的研究揭示，非对角无序在能隙中产生离域体态。这些态的出现可能导致反常量子霍尔效应（AQHE）相的破缺，这一现象在拓扑异质结构领域引起了研究者的广泛关注。然而，我们的结果证实，即使在显著的非对角无序下，Weyl 半金属相依然稳定。
引用
@article{arxiv.2402.06280,
title = {Disorder-Induced Topological Transitions in a Multilayer Topological Insulator},
author = {Z. Z. Alisultanov and A. Kudlis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.06280},
year = {2024}
}