半导体-金属和半导体-介电界面附近的D-浅施主
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们计算了位于半导体-金属或半导体-介电界面附近的带负电施主(D-)的基态能量和波函数延展范围。我们采用有效质量近似，并使用一个变分双电子波函数，该波函数考虑了由界面存在而产生的所有镜像电荷的影响，以及束缚于施主的两个电子之间的关联。对于半导体-金属界面，当施主位置d>1.5a_B（a_B为有效玻尔半径）时，由于电子与其镜像的额外吸引，D-的结合能增强。当施主接近界面（即d<1.5a_B）时，D-的结合能下降，并最终变得非束缚。对于半导体-介电（或半导体-真空）界面，与体材料情况相比，在任何施主位置下D-的结合能都会降低，并且当施主接近界面时，系统迅速变得非束缚。
引用
@article{arxiv.1005.2315,
title = {D- shallow donor near a semiconductor-metal and a semiconductor-dielectric interface},
author = {Y. L. Hao and A. P. Djotyan and A. A. Avetisyan and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.2315},
year = {2015}
}
备注
Submitted to Phys. Rev. B on 19 November 2009