对“半导体-绝缘体-金属界面附近的浅施主态”一文的评论
介观与纳米尺度物理
2011-04-19 v1
摘要
在最近的一篇论文中，Hao 等人 [Phys. Rev. B 80, 035329 (2009)] 报道了采用一种新型试探波函数，对半导体/绝缘体/金属结构中浅类氢施主的能谱进行变分计算。他们还对半导体/绝缘体系统进行了计算，发现其方法给出的能量值低于 MacMillen 和 Landman [Phys. Rev. B 29, 4524 (1984)] 所得结果。由此推论，MacMillen 和 Landman 在能量值上产生了远超其预期的较大误差。然而，我们证实 MacMillen 和 Landman 提出的理论方法，对于半导体与绝缘体界面附近的类氢施主系统，给出了相当精确的能量值。
引用
@article{arxiv.1104.3467,
title = {Comment on "Shallow donor states near a semiconductor-insulator-metal interface"},
author = {L. F. Makarenko and O. A. Lavrova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3467},
year = {2011}
}
备注
2 pages, 2 tables