低温下施主型半导体作为微波激射器活性介质
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在某些半导体中，施主杂质原子可以吸引额外的电子，形成负施主杂质离子。因此，对于电子而言存在三个能级：导带底部的零能级、负施主杂质离子中束缚电子的负能级，以及中性施主杂质原子中外层电子的更深负能级。因此，施主杂质原子可作为微波激射器（maser）的活性中心。可实现的最大相对布居数为 0.5。产生振荡的典型波长为 0.14 mm；三能级方案可在相当低的温度下实现，远低于 6 K。
引用
@article{arxiv.0704.1629,
title = {Donor type semiconductor at low temperature as maser active medium},
author = {Yuri Kornyushin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.1629},
year = {2007}
}
评论
Hydrogen atom and negative ion model for simple donor type semiconductors