双带δ掺杂半导体中的子带能量
凝聚态物理
2009-10-28 v1
摘要
我们在包络函数近似下研究双带δ掺杂半导体中的电子动力学。利用δ掺杂层中电离施主产生的限制势的简单参数化，我们能够找到描述宿主带耦合的Dirac型方程的精确解。作为应用，我们随后考虑了Si δ掺杂的GaAs。特别地，我们发现基态子带能量在广泛的掺杂水平范围内随单位面积Si浓度呈幂律标度。此外，宿主带的耦合导致由于非抛物性效应引起的子带能量降低。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9512127,
title = {Subband energy in two-band delta-doped semiconductors},
author = {F. Dominguez-Adame},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9512127},
year = {2009}
}
备注
REVTeX 3.0, 10 pages, 1 figure available upon request. To apper in Physics Letters A