Fibonacci Si δ掺杂 GaAs 的电子结构
凝聚态物理
2015-06-25 v1
摘要
我们研究了一种基于 Si δ掺杂 GaAs 的新型 Fibonacci 超晶格的电子结构。假设 δ掺杂层等间距，通过选择两种不同的施主浓度并沿生长方向按 Fibonacci 序列排列来引入准周期性。利用 Thomas-Fermi 方法获得由 δ掺杂引起的单电子势。然后通过求解相应的有效质量波动方程得到能谱。我们发现能带结构中可以看到自相似谱。还讨论了样品的电子输运性质，并将其与电子包络函数的空间局域化程度联系起来。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9409073,
title = {Electronic Structure of Fibonacci Si Delta-Doped Gaas},
author = {F. Dominguez-Adame and E. Macia and B. Mendez},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9409073},
year = {2015}
}
备注
to appear in Phys. Lett. A. 9 pages in REXTeX style. 6 figures by fax on request to E. Macia ([email protected]). FM-32-94