有意无序AlAs/GaAs超晶格的电子结构
mtrl-th
2016-09-07 v2 材料科学
摘要
我们使用实际赝势和平面波基组，研究了非周期性、三维、2000原子的(AlAs)_n/(GaAs)_m (001)超晶格的电子结构，其中各层厚度n,m = {1,2,3}随机选取。我们发现，尽管等效的(n = m = 2)有序超晶格的带隙为间接带隙，但层厚度的随机涨落导致在平面布里渊区中出现直接带隙、沿生长方向的强波函数局域化、短辐射寿命以及显著的带隙减小，这与此类有意生长的无序超晶格的实验结果一致。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9501004,
title = {Electronic structure of intentionally disordered AlAs/GaAs superlattices},
author = {K. A. Mader and L. -W. Wang and A. Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9501004},
year = {2016}
}
备注
10 pages, REVTeX and EPSF macros, 4 figures in postscript. e-mail to [email protected]