具有层厚涨落的半导体超晶格中的局域化与带隙钉扎
mtrl-th
2015-06-26 v1 材料科学
摘要
我们考虑标称周期n附近具有随机厚度涨落Delta-n的(AlAs)_n/(GaAs)_n超晶格。利用三维赝势平面波能带理论，我们表明：(i)任意比例的Delta-n/n厚度涨落都会导致带边波函数局域化；(ii)对于小的Delta-n/n，超晶格带隙钉扎在由厚度为“错误”的n + Delta-n的单层所产生的带隙能级上；(iii)由单原子层厚度涨落引起的束缚态导致显著的带隙减小；(iv)具有单原子层厚度涨落的<001> AlAs/GaAs超晶格具有直接带隙，而理想<001>超晶格在n<4时为间接带隙。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9507003,
title = {Localization and band-gap pinning in semiconductor superlattices with layer-thickness fluctuations},
author = {K. A. Mader and A. Zunger},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9507003},
year = {2015}
}
备注
10 pages, Revtex. 3 figures available at http://www.cecam.fr/~mader/elstruc.html . Published in Europhys. Lett. 31, 107 (95)