掺杂GaAs-AlAs超晶格中的电可调GHz振荡
凝聚态物理
2009-10-30 v1
摘要
报道了掺杂半导体超晶格中电场畴的可调振荡模式。实验研究表明，在GaAs-AlAs超晶格中实现了覆盖5至300 K温度范围的可调GHz频率。通过解析和数值模拟畴形成的动力学，确定了可调振荡模式的起源。发现了三种不同的振荡模式。它们的存在取决于漂移速度曲线的实际形状、掺杂密度、边界条件和超晶格的长度。对于大多数偏压区域，自持振荡是由于畴边界在超晶格内的形成、运动和循环所致。对于某些偏压，低场和高场畴的强度随时间周期性变化，而畴边界被钉扎在几个量子阱内。频率对耦合的依赖性导致预测了一种基于半导体超晶格的新型可调GHz振荡器。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9707246,
title = {Electrically tunable GHz oscillations in doped GaAs-AlAs superlattices},
author = {J. Kastrup and R. Hey and K. H. Ploog and H. T. Grahn and L. L. Bonilla and M. Kindelan and M. Moscoso and A. Wacker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9707246},
year = {2009}
}
备注
Tex file (20 pages) and 16 postscript figures