通过对称性与应变调控半导体超晶格热电势
材料科学
2021-02-04 v3
摘要
在掺杂半导体与金属中，热电势随载流子浓度增加而下降，符合 Pisarenko 关系。本文中，我们展示了一种全新的应变工程方法，可使 [001] Si/Ge 超晶格（SLs）的热电势突破该关系。利用两种独立的理论建模方法，我们表明新能带因结构对称性而形成，且超晶格能带对外延衬底应变具有高度可调性。能带偏移导致热电势被调制，在重掺杂区应变 Si/Ge 超晶格中出现约 5 倍增强的峰值。
引用
@article{arxiv.1907.03461,
title = {Modulation of Semiconductor Superlattice Thermopower Through Symmetry and Strain},
author = {Vitaly. S. Proshchenko and Manoj Settipalli and Artem K. Pimachev and Sanghamitra Neogi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.03461},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 2 figures