共振隧穿n型掺杂半导体超晶格中的电流-电压特性、稳定性与自持电流振荡
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
我们在离散漂移模型内回顾了掺杂超晶格上电场畴的静力学和动力学。对具有两个畴的稳态场分布的构造和稳定性进行了完整分析。由此，我们确定了在直流电压偏置下可能出现自持电流振荡的掺杂区间。我们还研究了掺杂、边界条件和超晶格长度对自持振荡的影响。我们的研究表明，存在双稳态区域，在该区域内，根据初始条件的不同，系统会达到自持电流振荡或稳态。对于较宽的偏置区间，自持振荡源于超晶格内部电场畴壁的形成、运动和循环。在某些偏置下（通常在双稳态区域），高场和低场畴的强度随时间周期性变化，而畴壁几乎固定在几个量子阱上。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9604073,
title = {Current-voltage characteristic, stability, and self-sustained current oscillations in resonant-tunneling n-doped semiconductor superlattices},
author = {L. L. Bonilla and M. Kindelan and M. Moscoso and A. Wacker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9604073},
year = {2007}
}
备注
Uuencoded file including: PostScript file (14 pages)