半导体超量子阱中电荷涨落与域迁移时间的非线性随机离散漂移扩散理论
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
提出一种随机离散漂移扩散模型，以解释脆弱耦合、高度掺杂半导体超量子阱中噪声效应。其电流-电压特性包含多个稳定的多稳态分支，对应于由以域墙分隔的两种电场轮廓。若初始状态对应于稳定分支上的电压，且电压突变切换至下一个稳定分支对应的电压，则域将在一定延迟时间后迁移。随着最终电压接近第一个电流分支末端，Shot noise 导致延迟时间分布从高斯分布转变为 first passage time 分布。这些结果在 Rogozia 等人 (Phys. Rev. B {\bf 64}, 041308(R) (2001)) 的实验中得到了定性一致性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0201500,
title = {Nonlinear stochastic discrete drift-diffusion theory of charge fluctuations and domain relocation times in semiconductor superlattices},
author = {L. L. Bonilla and O. Sanchez and J. Soler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0201500},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 12 figures, 2 column format