电场对Si δ掺杂GaAs影响的自洽分析
凝聚态物理
2009-10-22 v1
摘要
我们从理论上研究了插入量子阱中的单个Si δ掺杂GaAs在沿生长方向施加电场时的子带结构。我们采用高效的自洽程序，针对不同的电场值和温度值同时求解薛定谔方程和泊松方程。由此我们得到了限制势、子带能量及其对应的包络函数、子带占据数以及子带间跃迁的振荡器强度。与处理普通量子阱中量子限制斯塔克效应时通常遇到的情况相反，我们观察到当外部电场达到某个特定值时，能级会发生急剧下降。该临界电场值仅轻微依赖于温度。能级的快速变化伴随着限制势中出现一个次级势阱，以及两个最低子带之间振荡器强度的显著降低。这些结果为设计可用作由外加电场控制的光学滤波器的器件提供了可能性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9412073,
title = {Self-consistent analysis of electric field effects on Si $\delta$-doped GaAs},
author = {Jose A. Cuesta and Angel Sanchez and y Francisco Dominguez-Adame},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9412073},
year = {2009}
}
备注
REVTeX 3.0, 13 pages, 4 figures, all of them in a self-expanding compressed, uuencoded file. Submitted to Phys Rev B