平衡态下N型δ掺杂硅能带结构的温度依赖性研究
材料科学
2010-03-26 v1 光学
摘要
采用具有周期性边界条件的量子阱和半经验spds*紧束缚能带模型，对一个高磷δ掺杂硅器件进行了建模。研究了其温度依赖的电子性质。为了处理高掺杂密度下的众多电子，使用了一个高度并行化的自洽薛定谔-泊松求解器，并采用了多个杂质离子的原子级表示。针对一组选定的温度，计算了平衡态下的能带结构及相应的费米能级位置。将室温下的结果与先前的研究进行了比较，并结合计算出的三维自洽势分布，进一步详细讨论了温度依赖的电子性质。
引用
@article{arxiv.1003.4926,
title = {A Study of Temperature-dependent Properties of N-type delta-doped Si Band-structures in Equilibrium},
author = {Hoon Ryu and Sunhee Lee and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.4926},
year = {2010}
}
备注
IEEE proceedings of the 13th International Workshop on Computational Electronics (IWCE-13)