关联电子结构与热电器件性能
介观与纳米尺度物理
2011-10-12 v1
摘要
需要现实的热电建模和仿真工具来解释实验并进行器件设计。本文提出了一种简单的计算技术，以便在热电器件设计中利用严格的能带结构计算。我们基于 Landauer 理论的方法提供了一种将有效质量级模型与严格能带结构进行基准测试的途径。该方法还可用于根据给定的掺杂密度和数值生成的态密度确定温度依赖的费米能级，进而结合数值生成的通道分布来评估温度依赖的电导率、热功率和电子热导率。我们以硅为例展示了该技术，因为硅具有校准良好的能带结构和输运数据，但该技术更适用于复杂的热电材料，并为在器件设计中利用第一性原理能带结构计算提供了一种简便方法。
引用
@article{arxiv.1110.2405,
title = {Relating electronic structure to thermoelectric device performance},
author = {Shuaib Salamat and Abhijeet Paul and Mehdi Salmani-Jelodar and Changwook Jeong and Gerhard Klimeck and Mark Lundstrom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.2405},
year = {2011}
}
备注
submitted to JAP for review. 8 Figures, 1 table