硅和锗中$\delta$掺杂磷层的电子性质
介观与纳米尺度物理
2014-01-22 v1
摘要
本文采用 Thomas-Fermi-Dirac (TFD) 近似和 sp3d5s*紧束缚方法计算了硅中掺杂磷层的电子性质。这种自洽模型在不牺牲经验紧束缚和从头算密度泛函理论模型精度的前提下，提高了计算效率。TFD 模型的计算效率为大型多原子模拟（如具有实验意义的纳米电子器件）提供了更好的可扩展性。我们还首次展示了将该 TFD 模型应用于锗中掺杂磷层的理论计算电子性质。
引用
@article{arxiv.1308.5056,
title = {Electronic properties of delta-doped phosphorus layers in silicon and germanium},
author = {Jackson S. Smith and Jared H. Cole and Salvy P. Russo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.5056},
year = {2014}
}
备注
11 pages, 7 figures