双量子环的有限元三维模型：电场与激光场对带间跃迁的影响
计算物理
2023-09-11 v1
摘要
本工作中，理论分析了将外场施加于通过液滴外延技术生长的 GaAs/AlGaAs 半导体双环时，电子与空穴能量、振子强度及带间跃迁时间的变化。我们考虑了静态电场和非共振于该量子结构的强激光场，其强度和方向相对于量子环对称轴可变。在电子与空穴的有效质量近似形式下，利用针对真实量子环的精确三维模型实现的有限元方法数值计算了能量与波函数。对各点处约束势的激光修饰使用精确积分公式完成。我们的结果显示两类外加场效应存在主要差异，主要由静态电场诱导的受限电子-空穴对强极化率引起。此外，由于量子环特殊的扁平几何结构，两种场的影响在电子性质上均表现出强各向异性。场强与方向的适当组合有助于设计用于灵敏调控带间辐射性质的精确工具。
引用
@article{arxiv.2309.04438,
title = {Finite element 3-D model of a double quantum ring: effects of electric and laser fields on the interband transition},
author = {Adrian Radu and Cristina Stan and Doina Bejan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.04438},
year = {2023}
}
备注
23 pages, 15 figures, 3 tables