石墨烯纳米带的第三近邻参数化紧束缚模型
介观与纳米尺度物理
2017-02-10 v1
摘要
二维石墨烯片的从头算能带结构被 Reich 等人 [Phys. Rev. B 66, 035412] 提出的第三近邻紧束缚模型很好地重现。对于带状结构，现存的紧束缚参数集能成功解释所有扶手椅型带状结构的半导体行为。然而，它们在准确描述能带斜率方面仍然失败，而此特征直接与电子的群速度和有效质量相关。在这项工作中，我们进行了密度泛函理论和紧束缚计算，并引入了一组新的直至第三近邻（包括重叠项）的紧束缚参数。该模型所得结果在多数带状结构情况下（即使在高能区）与密度泛函理论的预测高度吻合。此外，该参数集可诱导出密度泛函理论中所表现的电子-空穴不对称性。相关结果也在不同宽度的扶手椅型带以及锯齿型结构中得到展示，从而为多尺度模拟开辟了路径。
引用
@article{arxiv.1702.02606,
title = {Third nearest neighbor parameterized tight biding model for graphene nano-ribbons},
author = {Van-Truong Tran and Jérôme Saint-Martin and Philippe Dollfus and Sebastian Volz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.02606},
year = {2017}
}
备注
18 pages, 6 figures, 1 table