石墠/铬三卤化物异质结构中相关电子效应：紧束缚模型视角
介观与纳米尺度物理
2024-04-30 v1 材料科学
摘要
在本研究中，我们提出了一种有效的紧束缚模型，用于准确描述铬单层 CrX 单层中导带最低四重态的能级。该模型基于最少数量的铬轨道，能够捕捉到这些能级中显著平坦的色散特征，但需要考虑远距离铬原子之间由配体介导的hopping，揭示了电子通过远程铬原子连接的路径。CrX 导带最低能级的状态掺杂需要电荷转移，这一过程根据最近的研究可以在石墠（G）/CrX 异质结构中发生。本文利用对 CrI 导带最低能级的详细描述，表明 G/CrI/G 和 G/CrI 是 type-II 异质结构，其中石墠中的轻空穴可与磁层中的重电子共存，后者可由 Wigner 参数 （如 hBN 封装结构估计）表征。
引用
@article{arxiv.2404.18858,
title = {Correlated Electron Effects in Chromium Trihalide Hetostructures with Graphene: A Tight-Binding Model Perspective},
author = {Igor Rozhansky and Vladimir Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.18858},
year = {2024}
}
备注
5 figures