超越密度泛函理论的铬三卤化物电子结构
强关联电子
2021-10-25 v1
摘要
我们在基于格林函数泛函的先进第一性原理理论方法内探索了铬三卤化物 CrX\textsubscript{3}{, X= Cl, Br, I} 自由-standing 单层的电子能带结构。我们将局域密度近似与准粒子自洽 GW 近似（QS\emph{GW}）及其自洽扩展（QS）进行比较，通过求解粒子-空穴阶梯的 Bethe-Salpeter 方程来改进有效相互作用 \emph{W}。我们表明在所有理论层级上，价带在序列 Cl{\textrightarrow}Br{\textrightarrow}I 中形状一致变化，且价带顶从 M 点移至 点。然而，跃迁的细节、单粒子带隙和本征函数在向更高理论层级推进时发生显著变化。本征函数变得更具方向性，且在 M 点有效质量存在强各向异性。此外，动态且依赖动量的自能显示，与 QS\emph{GW} 相比，QS 增加了体系的局域化，从而导致更窄的能带以及价带流形中卤素成分的减少。
引用
@article{arxiv.2106.06564,
title = {Electronic Structure of Chromium Trihalides beyond Density Functional Theory},
author = {Swagata Acharya and Dimitar Pashov and Brian Cunningham and Alexander N. Rudenko and Malte Rösner and Myrta Grüning and Mark van Schilfgaarde and Mikhail I. Katsnelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.06564},
year = {2021}
}