少层 CrI3 中的电子关联、磁结构与磁输运
材料科学
2020-10-21 v1 计算物理
摘要
使用密度泛函理论结合 Hubbard 模型（DFT+U），我们计算了 CrI3 多层膜（包括自由站立及夹在石墨烯接触层之间）的电子能带结构。我们表明，DFT+U 方法连同“around mean field”修正方案，能够描述夹在石墨烯接触层之间的多层 CrI3 磁电阻实验测量所对应的垂直磁输运。此外，通过在不同双计数修正方案（即“around mean field”修正与完全局域化极限）间进行插值，我们展示了它们对于一致描述能带结构和基态总能量的重要性。我们对磁交换相互作用的描述与实验观察到的双层 CrI3 反铁磁基态及在小外磁场下向铁磁排列的转变相符。因此，使用带“around mean field”修正的自旋极化 DFT+U，获得了一致的整体图像。
引用
@article{arxiv.2009.05263,
title = {Electronic correlation, magnetic structure and magnetotransport in few-layer CrI3},
author = {Soumyajit Sarkar and Peter Kratzer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.05263},
year = {2020}
}