CrI$_3$单层及双层中电子与磁性性质的 Hubbard U 参数优化
介观与纳米尺度物理
2025-12-16 v3
摘要
最近测量的CrI单层的磁性性能已受到注意，本文考虑电子相互作用与Cr 3d轨道局域化效应。我们提出一种采用Hubbard U校正的DFT方法以提高准确性。我们比较了使用HSE06混合泛函与包含Cr 3d和I 5p轨道Hubbard U参数的DFT+U方法的价值密度态。研究结果表明，最佳的U(Cr)和U(I)参数分别为3.5 eV和2.0 eV。我们进一步将该方法应用于提高CrI单层和更重要的是与范德华作用泛函耦合的双层的电子与磁性计算。这些改进为更复杂的CrI纳米结构研究以及其他三卤化物少层系统的研究提供了前景。
引用
@article{arxiv.2411.19357,
title = {Optimizing Hubbard U parameters for Enhanced Description of Electronic and Magnetic Properties in CrI$_3$ Monolayers and Bilayers},
author = {Diego Lauer and Jhon W. González and Eric Suárez Morell and Andrés Ayuela},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.19357},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 5 figures