用于五石墨烯纳米结构光电性质的紧束缚模型
材料科学
2020-12-25 v1
摘要
我们提出了一种正确描述五石墨烯电子能带结构和线性光学响应的紧束缚参数化。该参数集通过与单层五石墨烯的第一性原理密度泛函理论计算比较得到验证，显示出非常好的整体一致性。我们将此参数化应用于五石墨烯纳米带，实现了对量子尺寸效应的恰当描述。此外，引入了基于对称性的能带结构和吸收谱中涉及的光学跃迁分析，从而可解释这些系统的光电特征。
引用
@article{arxiv.1712.07544,
title = {Tight-binding model for opto-electronic properties of penta-graphene nanostructures},
author = {Sergio Bravo and J. D. Correa and Leonor Chico and M. Pacheco},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.07544},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 7 figures