石墨烷的电子与光学性质

M. H. Lee; H. C. Chung; J. M. Lu; C. P. Chang; M. F. Lin

doi:10.1080/14786435.2015.1076177

石墨烷的电子与光学性质

材料科学 2016-10-31 v2 介观与纳米尺度物理

作者: M. H. Lee , H. C. Chung , J. M. Lu , C. P. Chang , M. F. Lin

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们开发了紧束缚模型来研究石墨烷的电子和光学性质。碳原子和氢原子之间强烈的 $sp^3$ 化学键诱导了特殊的能带结构，从而导致了丰富的光学激发。吸收光谱几乎不依赖于电极化方向。它表现出许多肩峰结构和吸收峰，分别源于抛物线能带的极值点和鞍点。仅在碳原子 $2p_x$ 和 $2p_y$ 轨道相关的阈值光学激发在约 3.5 eV 处的肩峰结构中被揭示。出现在约 11 eV 处的第一个对称吸收峰对应于由于碳 $2p_z$ 轨道和 H $1s$ 轨道显著杂化而产生的能带。此外，高频处的一些吸收峰表明了 $2s$ 和 $1s$ 轨道的成键。这些结果与 $sp^2$ 石墨烯系统的结果形成鲜明对比。

关键词

石墨烷紧束缚模型电子性质光学性质 $sp^3$成键吸收光谱能带结构

引用

@article{arxiv.1412.7271,
  title  = {Electronic and optical properties in graphane},
  author = {M. H. Lee and H. C. Chung and J. M. Lu and C. P. Chang and M. F. Lin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7271},
  year   = {2016}
}

备注

16 pages, 5 figures

石墨烷的电子与光学性质

摘要

关键词

引用

备注

相关论文