V2O3的电子结构：基于LDA-NMTO计算的Wannier轨道
材料科学
2009-07-17 v1 强关联电子
摘要
在局域密度近似框架内，利用基于muffin-tin轨道(MTO)的NMTO-downfolding方法，我们构建了顺磁相V2O3中t2g能带的Wannier轨道。在构建的Wannier函数基组中，单电子哈密顿量的实空间表示表明，与普遍看法相反，面内跳跃相互作用与垂直对跳跃同样重要。沿用Di Matteo等人[Phys. Rev. B 65, 054413 (2002)]的表述，这意味着V2O3的问题属于原子区而非分子区。我们还在低温单斜相中重复了我们的构建过程，发现该相中跳跃相互作用的变化并不显著。
引用
@article{arxiv.0907.2841,
title = {Electronic structure of V2O3: Wannier orbitals from LDA-$N$MTO calculations},
author = {T. Saha-Dasgupta and O. K. Andersen and J. Nuss and A. I. Poteryaev and A. Georges and A. I. Lichtenstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.2841},
year = {2009}
}
备注
22 pages, 15 figures, 6 Tables