基于N阶Muffin-Tin轨道的V2O3反铁磁绝缘相变分研究
强关联电子
2015-05-13 v1
摘要
受最近密度泛函理论（DFT）的N阶muffin-tin轨道（NMTO）实现结果的启发，我们重新审视了三氧化二钒VO反铁磁绝缘相的低温基态性质。通过NMTO降阶投影过程获得的跳跃矩阵元与先前电子结构计算中获得的结果显著不同，并表明面内跳跃积分与面外跳跃积分同等重要。我们使用NMTO跳跃矩阵元作为输入，对基态进行了变分研究。我们表明，在这种情况下，在整个晶体中形成稳定分子是不利的，并且实验观察到的磁结构仍然可以在原子变分范围内获得。然而，得到的基态（两个电子占据简并的二重态）与许多公认的实验观察结果相矛盾。我们结合该化合物中肯定存在的非局域电子关联，讨论了这一发现的意义。
引用
@article{arxiv.0904.2757,
title = {Variational study of the antiferromagnetic insulating phase of V2O3 based on Nth order Muffin-Tin-Orbitals},
author = {N. B. Perkins and S. Di Matteo and C. R. Natoli},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.2757},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 2 figures