轨道分裂及其在氧化物界面调控的微观理解
强关联电子
2015-03-20 v1 材料科学
摘要
通过密度泛函理论框架内的Wannier投影，我们能够识别出修正的c轴跳跃和阳离子带之间的能量失配是氧化物异质结构中Γ点附近t2g分裂的主要来源，排除了先前提出的机制如Jahn-Teller畸变或电场不对称性。将LaAlO3、LaVO3、SrVO3和SrNbO3与SrTiO3界面结合，我们展示了如何调节这种轨道分裂，设计在界面处具有更多dxy电子的异质结构。这种“轨道工程”是控制氧化物异质结构界面物理性质的关键。
引用
@article{arxiv.1205.4001,
title = {Microscopic understanding of the orbital splitting and its tuning at oxide interfaces},
author = {Zhicheng Zhong and Philipp Wissgott and Karsten Held and Giorgio Sangiovanni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.4001},
year = {2015}
}
备注
4.5 pages, 4 figures, submitted on May 9. 2012 to Physical Review. PDF Supplementary material containing tables of hopping and energy levels for the different heterostructures