层状异质结中横向动量依赖的有效价带势的排列：伪应变效应

详细研究了重空穴 (hh) 和轻空穴 (lh) 的横向动量依赖有效能带偏移 ($V_{\mathrm{eff}}$) 剖面的演化。展示了在价带混合逐渐增强和存在伪应变的情况下，空穴标准化固定高度 $V_{\mathrm{eff}}$ 剖面演变中的几个新特征。在某些未应变的 $III-V$ 族半导体层状异质结中，固定高度势对于 lh 不再有效。事实上，我们发现——正如对电子所预测的那样——当价带混合强度从低变到大时，lh 的 $V_{\mathrm{eff}}$ 特性会发生排列，呈现出类似“键盘”的特征，并伴随能隙变化。应变能够减弱 $V_{\mathrm{eff}}$ 上的“键盘”效应，也能使其偶尔出现或消失。我们发现，多带混合效应和应力诱导事件是相互竞争的机制，不能通过假设固定特性势能具有固定高度的矩形空间分布作为异质结的可靠试运行输入而普遍忽略。据我们所知，在本报告之前，既没有针对这些 $V_{\mathrm{eff}}$ 演化和排列的直接输运域测量，也没有相关的理论计算报道。我们的结果可能通过价带结构建模指导异质结设计以增强 $III-V$ 材料中的空穴迁移率，从而具有相关意义。