应变 [111] 异质结中的电场与价带带阶
材料科学
2009-10-30 v1
摘要
我们使用从头算全势线性化缀加平面波（FLAPW）方法研究了 [111] 取向的有序共原子应变层超晶格（特别是共阴离子 GaSb/InSb 体系和共阳离子 InAs/InSb 体系）。我们重点关注了所考虑的同极等价异质结两侧的势垒排列，特别是其对应变条件和应变感应电场的依赖性。我们提出了一种确定界面位置的方法，以便评估能带排列；此外，我们提出由压电效应引起的极化电荷近似限制在靠近界面的狭窄区域内，并且不影响势垒的不连续性。我们发现，界面对于价带带阶的贡献基本上不受应变条件的影响，而总的能带排列则高度可调，是应变条件的函数。最后，我们将我们的结果与 [001] 异质结的结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9702024,
title = {Electric fields and valence band offsets at strained [111] heterojunctions},
author = {S. Picozzi and A. Continenza and A. J. Freeman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9702024},
year = {2009}
}
备注
18 pages, Latex-file, to appear in Phys.Rev.B