β-Ga2O3 与 GaN 高电子迁移率晶体管的性能比较
应用物理
2019-08-19 v1
摘要
在本快报中，我们报告了基于 β-Ga2O3 的高电子迁移率晶体管（HEMT）在射频（RF）和功率应用方面各项性能指标的定量估计，并与 III 族氮化物器件进行了比较。研究发现，尽管截止频率较低，β-Ga2O3 HEMT 在低频区间可能提供比 GaN-HEMT 更高的射频输出功率，尽管较差的热导率会对散热造成限制。另一方面，低得多的电子迁移率将限制直流开关性能的效率与损耗，尽管其击穿电压可远高于 GaN。
引用
@article{arxiv.1802.02313,
title = {A performance comparison between \b{eta}-Ga2O3 and GaN High Electron Mobility Transistors},
author = {Sandeep Kumar and Anamika Singh Pratiyush and Rangarajan Muralidharan and Digbijoy N. Nath},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.02313},
year = {2019}
}