热声子对 2DEG GaN 高场输运的影响
计算物理
2024-02-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过系综蒙特卡洛方法研究了限制对 GaN 中电子输运的影响。在中等电场下，与文献中的实验数据取得了极好的一致。与实验结果一致，在速度-场曲线中未观察到负微分电导。本文详细讨论了其原因。通过体声子谱研究了非平衡限制电子-LO 声子系统的动力学。与体电子情况相反，热声子或非平衡声子在决定输运性质方面并未发挥显著作用。这通过极性光学声子散射的能量和动量守恒规则进行了解释。此外，结果表明对于所考虑的外加电场，碰撞电离并不显著。
引用
@article{arxiv.2402.06349,
title = {Hot phonon effects on high-field transport in 2DEG GaN},
author = {Lee Smith and Peter Brookes Chambers and Daniel R. Naylor and Angela Dyson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.06349},
year = {2024}
}
备注
5 pages, 6 figures