利用间隔层和缓冲层提高垂直交换偏置 Cr2O3 薄膜的阻塞温度
材料科学
2016-05-13 v1
摘要
在本研究中，我们考察了间隔层和缓冲层对薄 Cr2O3 薄膜垂直交换偏置阻塞温度 TB 的影响，并揭示了 20 nm 厚 Cr2O3 薄膜高达 260 K 的 TB。通过在 Cr2O3 和 Co 薄膜之间插入 Ru 间隔层并改变间隔层厚度，我们控制了交换偏置的大小和 TB。通过比较 Pt 和 alpha-Fe2O3 缓冲层上 20 nm 厚 Cr2O3 薄膜的 TB 值，我们研究了晶格应变对 TB 的影响。我们表明，使用 alpha-Fe2O3 缓冲层可获得更高的 TB 值，这很可能是因为晶格应变诱导的 Cr2O3 磁各向异性增加。
引用
@article{arxiv.1605.03680,
title = {Enhancing the blocking temperature of perpendicular-exchange biased Cr2O3 thin films using spacer and buffer layers},
author = {Naoki Shimomura and Satya Prakash Pati and Tomohiro Nozaki and Tatsuo Shibata and Masashi Sahashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.03680},
year = {2016}
}