利用 Cr2O3 界面层抑制 (BixSb1-x)2Te3 薄膜的载流子密度
材料科学
2021-10-27 v1
摘要
能带结构工程与界面缓冲层已被证明是调控拓扑绝缘体（TI）费米能级的有效手段。特别是，电荷补偿化合物 (BixSb1-x)2Te3（BST）在磁性拓扑绝缘体的分子束外延生长中起着关键作用。本文提出一种在 BST 薄膜生长中利用外延 Cr2O3 作为缓冲层、非晶 Cr2O3 作为覆盖层的策略。这些薄膜在较宽 Bi 含量范围内展现出低于 1012/cm2 的载流子密度，且迁移率高于直接生长在 Al2O3 衬底上的 BST 薄膜，揭示了界面层对拓扑绝缘体薄膜的重要性，并为磁性 BST 薄膜的应用开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2109.10176,
title = {Suppressing carrier density in (BixSb1-x)2Te3 films using Cr2O3 interfacial layers},
author = {Xiong Yao and Hee Taek Yi and Deepti Jain and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.10176},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 3 figures, Invited article to a Special issue in Journal of Physics D: Applied Physics