Pt/Co/(Pt, Cr)/CoO 薄膜中界面诱导的垂直交换偏置调控

N. Akdogan; A. Yagmur; M. Ozturk; E. Demirci; O. Ozturk; M. Erkovan

doi:10.1016/j.jmmm.2014.03.036

Pt/Co/(Pt, Cr)/CoO 薄膜中界面诱导的垂直交换偏置调控

介观与纳米尺度物理 2018-12-03 v1 材料科学

作者: N. Akdogan , A. Yagmur , M. Ozturk , E. Demirci , O. Ozturk , M. Erkovan

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摘要

通过改变 Pt/Co/(Pt, Cr)/CoO 薄膜中的铁磁层厚度和间隔层，实现了对垂直交换偏置的调控。交换偏置特性、阻塞温度和薄膜磁化强度强烈依赖于铁磁层与反铁磁层之间的间隔层 (Pt, Cr)。虽然 Pt/Co/Pt/CoO 薄膜表现出垂直交换偏置，但 Pt/Co/Cr/CoO 的易磁化轴位于膜平面内。我们还观察到 Pt/Co/Cr/CoO 薄膜的硬轴磁化曲线具有非常小的滞后行为。这可归因于样品未对准或 Pt/Co 底部界面的微小垂直贡献。我们还通过振动样品磁强计 (VSM) 研究了样品的温度和间隔层依赖性交换偏置特性。我们观察到，在 Pt/Co/Pt/CoO 样品中，较厚的 Co 层具有更高的交换偏置场 $H_{EB}$ 和矫顽力 $H_C$ 。此外，Pt/Co/Cr/CoO 薄膜的交换偏置效应起始温度要低得多。这清楚地表明，Cr 间隔层不仅消除了垂直交换偏置，还降低了 Co 和 CoO 之间的交换相互作用，从而降低了阻塞温度。

关键词

垂直交换偏置薄膜间隔层阻塞温度磁化强度振动样品磁强计界面效应

引用

@article{arxiv.1401.0170,
  title  = {Interface induced manipulation of perpendicular exchange bias in Pt/Co/(Pt, Cr)/CoO thin films},
  author = {N. Akdogan and A. Yagmur and M. Ozturk and E. Demirci and O. Ozturk and M. Erkovan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1401.0170},
  year   = {2018}
}

备注

8 pages, 4 figures

Pt/Co/(Pt, Cr)/CoO 薄膜中界面诱导的垂直交换偏置调控

摘要

关键词

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