界面耦合非均匀性在交换偏置畴演化中的作用
介观与纳米尺度物理
2014-04-02 v1 材料科学
统计力学
摘要
薄膜交换偏置模型已能描述该具有重要技术效应的各个方面。通过适当选择自由参数，模拟的磁滞回线与实验充分吻合，并能模拟典型的畴结构。然而，这些参数（尤其是系统铁磁 (F) 层与反铁磁 (AF) 层之间的耦合强度）的使用，模糊了关于它们对磁化反转过程影响的结论。在此，我们开发了一个用于交换偏置 CoO/(Co/Pt)n 中磁化过程的二维相场模型，该模型纳入了反铁磁体 10 nm 分辨率的实测局部偏置特性。仅需三个相互关联的参数（设定为铁磁体的实测物理量和未补偿自旋的实测密度），便足以在微观和宏观细节上与实验相匹配。我们利用该模型研究了在畴壁运动主导铁磁反转的应用相关情境下，反铁磁体中钉扎未补偿自旋的不同分布所引起的偏置和矫顽力变化。我们表明，过量的矫顽力可能仅源于反铁磁体中偏置和反偏置钉扎未补偿自旋密度的非均匀性。与传统观点相反，后者中的不可逆过程并非必不可少。
引用
@article{arxiv.1404.0317,
title = {Role of interface coupling inhomogeneity in domain evolution in exchange bias},
author = {Andrea Benassi and Miguel A. Marioni and Daniele Passerone and Hans J. Hug},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.0317},
year = {2014}
}