自缓冲BaZr(S,Se)$_3$薄膜界面原子结构
材料科学
2024-08-01 v1
摘要
通过界面设计理解和控制硫化物钙钛矿薄膜的生长对于调控薄膜性质至关重要。本文利用 aberration-corrected扫描透射电子显微镜解析了通过分子束蒸发制备并经后期氙化交换的BaZr(S,Se)薄膜及其界面结构。通过自组装界面“缓冲”层实现了薄膜生长，该缓冲层容纳了近40%的合金薄膜与基底之间的大尺度晶格失配。自组装缓冲层在作为生长硫化物及后期硝化合金薄膜中均被观察到，具有类岩盐原子堆叠，类似于Ruddlesden-Popper相。在该缓冲层之上，薄膜迅速转变为钙钛矿结构。总体而言，这些结果为氧化物-硫化物异质结生长提供了见解，展示了一种可产生松弛、晶体、异质结硫化物钙钛矿薄膜的过程，这些薄膜支持对光电和器件性质的持续研究。
引用
@article{arxiv.2407.21269,
title = {Atomic Structure of Self-Buffered BaZr(S,Se)$_3$ Epitaxial Thin Film Interfaces},
author = {Michael Xu and Kevin Ye and Ida Sadeghi and Rafael Jaramillo and James M. LeBeau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.21269},
year = {2024}
}