Ge 衬底上 SrZr$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_3$ 薄膜的界面结构
材料科学
2019-02-26 v1
摘要
利用同步辐射 X 射线衍射与第一性原理密度泛函理论，研究了生长在半导体 Ge 衬底上的 SrZrTiO 薄膜的界面结构。通过系统调节 Zr 含量 x，可区分界面成键与外延应变对薄膜物理结构的影响。研究发现，由于垂直于钙钛矿/半导体界面的阳离子-阴离子离子位移，界面钙钛矿层发生极化。我们发现了在 SrZrTiO/Ge 界面处观测到的屈曲与价带偏移之间的关联。极化结构的理论价带偏移与已报道的 X 射线光电子能谱测量一致。这些结果对于功能氧化物材料与成熟半导体技术的集成具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1806.11140,
title = {Interfacial Structure of SrZr$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_3$ films on Ge},
author = {Tongjie Chen and Kamyar Ahmadi-Majlan and Zheng Hui Lim and Zhan Zhang and Joseph H. Ngai and Alexander F. Kemper and Divine P. Kumah},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.11140},
year = {2019}
}