采用新型晶圆键合技术制备外延Al/GaAs/Al三层结构
应用物理
2020-07-22 v1 材料科学
摘要
采用晶圆键合技术制备了具有受控厚度高质量GaAs和洁净界面的外延Al/GaAs/Al结构。III-V半导体/Al结构通过分子束外延在III-V半导体衬底上生长,并键合到硅和蓝宝石上。利用选择性刻蚀去除III-V衬底,随后进行表面清洗和超导体再生长,从而在蓝宝石或硅衬底上得到外延Al/GaAs/Al三层结构。利用反射高能电子衍射、原子力显微镜、X射线光电子能谱、透射电子显微镜和X射线衍射对结构进行表征。讨论了这些结构在量子信息处理领域的应用。
引用
@article{arxiv.2007.10484,
title = {Epitaxial Al/GaAs/Al tri-layers fabricated using a novel wafer-bonding technique},
author = {Anthony McFadden and Aranya Goswami and Michael Seas and Corey Rae H. McRae and Ruichen Zhao and David P. Pappas and Christopher J. Palmstrøm},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.10484},
year = {2020}
}