面向外延剥离的 (111)B 取向 $Al_x Ga_{1-x} As$ 层选择性刻蚀
应用物理
2021-03-04 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
具有二次谐波生成的 GaAs-(111) 纳米结构是非线性光学中的新型构筑基元。此类结构可通过选择性刻蚀含 Al 层的外延剥离并随后转移至玻璃衬底来制备。本文研究了 (111)B 取向 牺牲层（厚度 10 nm 至 50 nm，铝浓度 x=0.5 至 1.0）在 10% 氢氟酸中的选择性刻蚀，并与标准 (100) 取向结构进行比较。牺牲层越薄、铝含量越低，横向刻蚀速率越低。两种取向的横向刻蚀速率均处于同一数量级，但存在若干定量差异。此外，本文展示了薄 (111)B 取向 GaAs 膜的外延剥离、转移与纳米图形化。原子力显微镜与高分辨 X 射线衍射测量揭示了所转移 GaAs-(111) 薄膜的高结构质量。
引用
@article{arxiv.2103.02466,
title = {Selective etching of (111)B-oriented $Al_x Ga_{1-x} As$-layers for epitaxial lift-off},
author = {Tobias Henksmeier and Martin Eppinger and Bernhard Reineke and Thomas Zentgraf and Cedrik Meier and Dirk Reuter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.02466},
year = {2021}
}