GaAs 薄膜的激光剥离
材料科学
2014-08-12 v1 光学
摘要
单晶 III-V 族衬底的高成本限制了 GaAs 及相关闪锌矿结构 III-V 族材料在许多应用（尤其是光伏领域）中的使用。将外延生长层从生长衬底上分离可以降低成本，然而目前的方法是使用酸横向刻蚀外延牺牲层，这种方法速度慢且可能损坏其他器件层。在此，我们展示了一种新方法，其速度快了几个数量级，并且在其他器件层的选择上提供了更大的自由度。我们展示了利用激光无损去除外延单晶 GaAs 薄膜与其 GaAs 生长衬底的过程，该激光被生长在衬底与 GaAs 薄膜之间的较小带隙赝晶层所吸收。剥离过程将 GaAs 薄膜转移到柔性聚合物衬底上，转移后的 GaAs 层在结构质量上与生长衬底上的层无法区分。
引用
@article{arxiv.1408.1977,
title = {Laser Liftoff of GaAs Thin Films},
author = {Garrett J. Hayes and Bruce M. Clemens},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.1977},
year = {2014}
}