激光切片：一种面向 GaN-on-GaN 技术的薄膜剥离方法
应用物理
2019-04-08 v2 材料科学
摘要
将飞秒激光聚焦于体 GaN 内部，用于将带有外延器件结构的薄 GaN 薄膜从体 GaN 衬底上切片分离。所展示的激光切片剥离工艺无需在外延结构中采用任何特殊的释放层。厚度为 5 m 且带有 InGaN LED 外延器件结构的 GaN 薄膜被从 GaN 衬底上剥离并转移至铜衬底上。激光切片剥离后 LED 芯片的电致发光得到了验证。
引用
@article{arxiv.1902.06348,
title = {Laser slicing: a thin film lift-off method for GaN-on-GaN technology},
author = {Vladislav Voronenkov and Natalia Bochkareva and Ruslan Gorbunov and Andrey Zubrilov and Viktor Kogotkov and Philipp Latyshev and Yuri Lelikov and Andrey Leonidov and Yuri Shreter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.06348},
year = {2019}
}