从 II-VI 族半导体异质结构中移除 GaAs 生长衬底
材料科学
2015-06-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了一种工艺，该工艺能够将 II-VI 族半导体外延层从其 GaAs 生长衬底上移除，并随后将其转移至任意宿主环境中。该技术结合了机械减薄和层选择性化学湿法刻蚀，通常适用于任何 II-VI 族层堆栈。我们通过转移全 II-VI 族磁谐振隧穿二极管证明了该方法的非侵入性。高分辨率 X 射线衍射证明异质结构的晶体完整性得以保持。输运表征确认器件功能得以维持甚至改善，这归因于隧穿势垒层的完全弹性应变弛豫。
引用
@article{arxiv.1311.3803,
title = {Removal of GaAs growth substrates from II-VI semiconductor heterostructures},
author = {S. Bieker and P. Hartmann and T. Kießling and M. Rüth and C. Schumacher and C. Gould and W. Ossau and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.3803},
year = {2015}
}