用于外延氧化物薄膜直接图形化的无刻蚀双层剥离工艺
材料科学
2025-09-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
尽管单晶氧化物薄膜具有广泛的功能，但其实际应用却因图形化方面的挑战而受到阻碍。传统的图形化依赖刻蚀，这可能成本高昂且容易出现薄膜或基底损伤、刻蚀不足、过度刻蚀和侧向刻蚀等问题。在本研究中，我们引入了一种用于氧化物薄膜直接图形化的双层剥离方法，规避了刻蚀过程及其相关问题。该方法首先通过剥离光刻胶实现非晶 SrAlO 或 SrAlO (SAO) 的初次剥离，随后通过溶解 SAO 层实现功能氧化物薄膜的二次剥离。SAO 充当“高温光刻胶”，使其与单晶氧化物的高温生长兼容。使用该方法，制备了图形化的铁磁 LaSrMnO 和铁电 BiFeO，精确地再现了光刻胶的形状。我们的研究提出了一种简便、灵活、精确、环保且具成本效益的高质量氧化物薄膜图形化方法。
关键词
引用
@article{arxiv.2509.02618,
title = {Etching-free dual-lift-off for direct patterning of epitaxial oxide thin films},
author = {Jiayi Qin and Josephine Si Yu See and Yanran Liu and Xueyan Wang and Wenhai Zhao and Yang He and Jianbo Ding and Yilin Wu and Shanhu Wang and Huiping Han and Afzal Khan and Shuya Liu and Sheng'an Yang and Hui Zhang and Jiangnan Li and Qingming Chen and Jiyang Xie and Ji Ma and Wanbiao Hu and Jianhong Yi and Liang Wu and X. Renshaw Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.02618},
year = {2025}
}