一种制备微米级独立式单晶复杂氧化物器件阵列的策略

我们提出了一种通用的制备策略，通过基于湿法化学刻蚀的微加工工艺和剥离技术，制备独立式单晶复杂氧化物器件阵列。在此，我们使用 0.5Ba(Zr$_{0.2}$Ti$_{0.8}$)O$_3$-0.5Ba(Zr$_{0.7}$Ti$_{0.3}$)O$_3$ (BCZT) 作为模型弛豫铁电氧化物体系，并使用 La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$MnO$_3$ 作为牺牲层进行演示。首先在生长晶圆上定义并隔离出 SrRuO$_3$ (SRO) / BCZT / SRO 铁电电容器台面结构，然后通过光刻定义的刻蚀孔，利用湿法化学刻蚀进行剥离，将器件阵列释放。随后，将独立的器件阵列集成到玻璃衬底上。我们提出的策略为制备各种独立式单晶氧化物器件铺平了道路，并为其在任意衬底上的异质集成提供了可能。