晶圆级MoS2薄膜的无刻蚀转移
材料科学
2015-01-06 v1
摘要
如何将MoS2薄膜从生长衬底转移到目标衬底是其实际应用的关键问题。然而，由于当前的转移方法不可避免地采用湿化学刻蚀工艺，避免样品降解和衬底破坏仍是一大挑战。在此，我们开发了一种利用超声处理将晶圆级MoS2薄膜转移到任意衬底的无刻蚀转移方法。简言之，超声产生的微气泡在聚合物包覆的MoS2薄膜与衬底之间的界面处溃灭，诱导出足以使MoS2薄膜剥离的力。利用该方法，MoS2薄膜可从所有衬底（二氧化硅、云母、钛酸锶、蓝宝石）上转移，并保持原始样品形貌与质量。该方法保证了简单的转移过程，允许生长衬底重复使用，且不存在任何有害刻蚀剂。这种无刻蚀转移方法可推动MoS2在电子学、光电子学和催化中的广泛应用。
引用
@article{arxiv.1501.00786,
title = {Etching-free transfer of wafer-scale MoS2 films},
author = {Donglin Ma and Jianping Shi and Qingqing Ji and Yu Zhang and Mengxi Liu and Qingliang Feng and Xiuju Song and Jin Zhang and Yanfeng Zhang and Zhongfan Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.00786},
year = {2015}
}